Análise dos Coeficientes Piezoresistivos Fundamentais do Silício Policristalino

Autores

  • Luiz Antonio Rasia
  • Marina Geremias
  • Antonio Carlos Valdiero

DOI:

https://doi.org/10.5540/03.2016.004.01.0075

Palavras-chave:

Modelagem Matemática, Elementos Sensores, Piezoresistores, Coeficientes Piezoresistivos

Resumo

Neste trabalho são mostrados os coeficientes piezoresistivos longitudinal, transversal e de cisalhamento para filmes finos de silício policristalino tipo N e tipo P obtidos por simulação matemática. Estes coeficientes foram avaliados considerando o plano (100) e usando soluções analíticas estabelecidas para diafragmas circulares. Com base nos coeficientes piezoresistivos fundamentais, o efeito piezoresistivo em uma orientação cristalográfica arbitrária pode ser estimado. Este efeito desempenha um papel importante para o cálculo da sensibilidade dos elementos sensores quando se projeta piezoresistores de filmes finos que usam o silício como substrato.

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Publicado

2016-08-09

Edição

Seção

Artigos