Análise dos Coeficientes Piezoresistivos Fundamentais do Silício Policristalino

Luiz Antonio Rasia, Marina Geremias, Antonio Carlos Valdiero

Resumo


Neste trabalho são mostrados os coeficientes piezoresistivos longitudinal, transversal e de cisalhamento para filmes finos de silício policristalino tipo N e tipo P obtidos por simulação matemática. Estes coeficientes foram avaliados considerando o plano (100) e usando soluções analíticas estabelecidas para diafragmas circulares. Com base nos coeficientes piezoresistivos fundamentais, o efeito piezoresistivo em uma orientação cristalográfica arbitrária pode ser estimado. Este efeito desempenha um papel importante para o cálculo da sensibilidade dos elementos sensores quando se projeta piezoresistores de filmes finos que usam o silício como substrato.


Palavras-chave


Modelagem Matemática, Elementos Sensores, Piezoresistores, Coeficientes Piezoresistivos

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DOI: https://doi.org/10.5540/03.2016.004.01.0075

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