Análise dos Coeficientes Piezoresistivos Fundamentais do Silício Policristalino

Abstract

Neste trabalho são mostrados os coeficientes piezoresistivos longitudinal, transversal e de cisalhamento para filmes finos de silício policristalino tipo N e tipo P obtidos por simulação matemática. Estes coeficientes foram avaliados considerando o plano (100) e usando soluções analíticas estabelecidas para diafragmas circulares. Com base nos coeficientes piezoresistivos fundamentais, o efeito piezoresistivo em uma orientação cristalográfica arbitrária pode ser estimado. Este efeito desempenha um papel importante para o cálculo da sensibilidade dos elementos sensores quando se projeta piezoresistores de filmes finos que usam o silício como substrato.